ПРИМЕНЕНИЕ СИЛОВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ НА ОСНОВЕ ТРАНЗИСТОРОВ С ШИРОКОЙ ЗАПРЕЩЁННОЙ ЗОНОЙ В СИСТЕМАХ УПРАВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОПРИВОДАМИ

Аннотация

В статье рассматриваются перспективы применения силовых транзисторов на основе карбида кремния (SiC) и нитрида галлия (GaN) в преобразователях частоты для систем управления электроприводами. Проводится сравнительный анализ ключевых характеристик устройств на широкозонных полупроводниках с традиционными кремниевыми аналогами. Показаны преимущества применения данных компонентов с точки зрения энергоэффективности, быстродействия и тепловых режимов работы.

Ключевые слова