ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ПРОЕКТИРОВАНИЯ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ КОМПОНЕНТОВ НА ОСНОВЕ ПЕРСПЕКТИВНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОB
Аннотация
В данной расширенной научной работе представлен глубокий технологический анализ процессов разработки и оптимизации характеристик микроэлектронных компонентов, функционирующих в сверхвысокочастотном диапазоне. Авторы проводят детальное исследование физических свойств широкозонных полупроводников, таких как нитрид галлия и карбид кремния, обосновывая их преимущество перед традиционными кремниевыми структурами в условиях экстремальных температурных нагрузок и высоких мощностей. В рамках исследования анализируются методы эпитаксиального роста, вопросы минимизации паразитных параметров корпуса и стратегии эффективного теплоотвода в интегральных схемах нового поколения. Особое внимание уделено математическому моделированию электродинамических процессов и верификации полученных моделей в ходе натурных экспериментов. Результаты работы закладывают фундамент для создания отечественной компонентной базы, отвечающей современным требованиям помехозащищенности и миниатюризации телекоммуникационного оборудования.